收藏本站
型号 SPB100N03S2L-03
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N03S2L-03 PDF
代理商 SPB100N03S2L-03
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Feb/2008
标准包装 1,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.7毫欧 @ 80A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 220nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 8180pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 P-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SPB100N03S2L-INTR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SPB100N03S2L-03 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N03S2L03T Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
SPB100N04S2-04 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
SPB100N04S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
SPB100N06S2-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
SPB100N06S2L-05 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
SPB100N08S2-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
SPB100N08S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
SPB10N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
SPB10N10 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
SPB10N10L Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
SPB10N10L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
SPB10N10L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
SPB10N10L G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
SPB11N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
SPB11N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
SPB11N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
SPB11N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
SPB11N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
SPB11N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A TO-263